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IRF7807VD1TR

IRF7807VD1TR

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

SOIC N-CH 30V 8.3A

表面贴装型 N 通道 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO


得捷:
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC


IRF7807VD1TR中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2.5W Ta

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 8.3A

额定功率Max 2.5 W

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

IRF7807VD1TR引脚图与封装图
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