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IRF3711STRR

IRF3711STRR

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

D2PAK N-CH 20V 110A

表面贴装型 N 通道 20 V 110A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) D2PAK


得捷:
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK


Win Source:
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK


IRF3711STRR中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 3.1W Ta, 120W Tc

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 110A

输入电容Ciss 2980pF @10VVds

额定功率Max 3.1 W

耗散功率Max 3.1W Ta, 120W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准

IRF3711STRR引脚图与封装图
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