IRF7468TR
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRF7468TR中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 2.5W Ta
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 9.4A
输入电容Ciss 2460pF @20VVds
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRF7468TR引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRF7468TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF7468TR 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SOIC N-CH 40V 9.4A | 当前型号 | SOIC N-CH 40V 9.4A | 当前型号 |
| 型号： IRF7468TRPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 40V 9.4A | 类似代替 | IRF7468TRPBF 编带 | IRF7468TR和IRF7468TRPBF的区别 |
| 型号： IRF7468PBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 40V 9.4A | 类似代替 | INFINEON IRF7468PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.4 A, 40 V, 15.5 mohm, 10 V, 2 V | IRF7468TR和IRF7468PBF的区别 |