极性 N-CH
耗散功率 2.5W Ta
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 7A
输入电容Ciss 550pF @25VVds
耗散功率Max 2.5W Ta
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRF9410TR 品牌: Infineon 英飞凌 封装: SOIC N-CH 30V 7A | 当前型号 | SOIC N-CH 30V 7A | 当前型号 | |
型号: IRF9410PBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 30V 7A | 类似代替 | INFINEON IRF9410PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 30 V, 30 mohm, 10 V, 1 V | IRF9410TR和IRF9410PBF的区别 | |
型号: IRF9410TRPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 30V 7A | 类似代替 | IRF9410TRPBF 编带 | IRF9410TR和IRF9410TRPBF的区别 | |
型号: IRF9410 品牌: 英飞凌 封装: SOIC N-CH 30V 7A | 类似代替 | SOIC N-CH 30V 7A | IRF9410TR和IRF9410的区别 |