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IRFU9N20D
Infineon(英飞凌) 分立器件

IPAK N-CH 200V 9.4A

N-Channel 200V 9.4A Tc 86W Tc Through Hole IPAK TO-251


得捷:
MOSFET N-CH 200V 9.4A IPAK


Win Source:
MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK


IRFU9N20D中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 9.40 A

极性 N-Channel

耗散功率 86W Tc

产品系列 IRFU9N20D

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

连续漏极电流Ids 9.40 A

上升时间 16.0 ns

输入电容Ciss 560pF @25VVds

耗散功率Max 86W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

IRFU9N20D引脚图与封装图
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