IRF540NL
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRF540NL中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 130W Tc
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 33A
输入电容Ciss 1960pF @25VVds
耗散功率Max 130W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
外形尺寸
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRF540NL引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRF540NL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF540NL 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-262 N-CH 100V 33A | 当前型号 | TO-262 N-CH 100V 33A | 当前型号 |
| 型号： IRF540NLPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 100V 33A | 类似代替 | HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。 | IRF540NL和IRF540NLPBF的区别 |