IRFU9024N
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRFU9024N中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -1.60 A
极性 P-CH
耗散功率 38W Tc
产品系列 IRFU9024N
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 11.0 A
上升时间 55.0 ns
输入电容Ciss 350pF @25VVds
耗散功率Max 38W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
外形尺寸
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRFU9024N引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRFU9024N
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRFU9024N 品牌： Infineon 英飞凌 封装： IPAK P-CH 55V 11A | 当前型号 | IPAK P-CH 55V 11A | 当前型号 |
| 型号： IRFU9024NPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL P-Channel 55V 11A | 类似代替 | INFINEON IRFU9024NPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -11 A, -55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V | IRFU9024N和IRFU9024NPBF的区别 |
| 型号： AUIRFU9024N 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | IPAK P-CH 55V 11A | IRFU9024N和AUIRFU9024N的区别 |
| 型号： IRFU9024 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 11A ID, 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, LEAD FREE, IPAK-3 | IRFU9024N和IRFU9024的区别 |