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IRF7809TR

IRF7809TR

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

SOIC N-CH 30V 17.6A

表面贴装型 N 通道 30 V 17.6A（Ta） 3.5W（Ta） 8-SO


得捷:
MOSFET N-CH 30V 17.6A 8SO


IRF7809TR中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 3.5W Ta

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 17.6A

输入电容Ciss 7300pF @16VVds

耗散功率Max 3.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

IRF7809TR引脚图与封装图
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