IRF7809ATR
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRF7809ATR中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 2.5W Ta
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 14.5A
输入电容Ciss 7300pF @16VVds
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRF7809ATR引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF7809ATR | Infineon 英飞凌 | SOIC N-CH 30V 14.5A | 搜索库存 |