IRFBA1404P
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRFBA1404P中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 300W Tc
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 206A
输入电容Ciss 7360pF @25VVds
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 SUPER-220
外形尺寸
封装 SUPER-220
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRFBA1404P引脚图与封装图
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在线购买IRFBA1404P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRFBA1404P | Infineon 英飞凌 | TO-273AA N-CH 40V 206A | 搜索库存 |
替代型号IRFBA1404P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRFBA1404P 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-273AA N-CH 40V 206A | 当前型号 | TO-273AA N-CH 40V 206A | 当前型号 |
| 型号： IRFBA1404PPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 40V 206A | 类似代替 | HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。 | IRFBA1404P和IRFBA1404PPBF的区别 |
| 型号： BA1404 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 95A ID, 40V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-273AA, LEAD FREE, SUPER-220, 3 PIN | IRFBA1404P和BA1404的区别 |