IRFZ44ESTRL
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRFZ44ESTRL中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 48.0 A
极性 N-CH
耗散功率 110W Tc
产品系列 IRFZ44ES
输入电容 1.36 nF
栅电荷 60.0 nC
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 48.0 A
上升时间 60 ns
输入电容Ciss 1360pF @25VVds
下降时间 70 ns
耗散功率Max 110W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRFZ44ESTRL引脚图与封装图
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在线购买IRFZ44ESTRL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRFZ44ESTRL | Infineon 英飞凌 | D2PAK N-CH 60V 48A | 搜索库存 |
替代型号IRFZ44ESTRL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRFZ44ESTRL 品牌： Infineon 英飞凌 封装： D2PAK N-CH 60V 48A 1.36nF | 当前型号 | D2PAK N-CH 60V 48A | 当前型号 |
| 型号： IRFZ44ESTRLPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 60V 48A | 类似代替 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 60 V, 0.023 ohm, 10 V, 4 V | IRFZ44ESTRL和IRFZ44ESTRLPBF的区别 |
| 型号： IRFZ44ESPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 60V 48A | 类似代替 | N 通道功率 MOSFET 40A 至 49A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。 | IRFZ44ESTRL和IRFZ44ESPBF的区别 |