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IRF7460TR
Infineon(英飞凌) 分立器件

SOIC N-CH 20V 12A

表面贴装型 N 通道 20 V 12A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO


得捷:
MOSFET N-CH 20V 12A 8SO


Win Source:
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC


IRF7460TR中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2.5W Ta

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 12A

输入电容Ciss 2050pF @10VVds

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

IRF7460TR引脚图与封装图
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