IRF9Z34NL
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRF9Z34NL中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
耗散功率 3.8W Ta, 68W Tc
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 19A
输入电容Ciss 620pF @25VVds
耗散功率Max 3.8W Ta, 68W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
外形尺寸
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRF9Z34NL引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRF9Z34NL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF9Z34NL 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-262 P-CH 55V 19A | 当前型号 | TO-262P-CH 55V 19A | 当前型号 |
| 型号： IRF9Z34NLPBF 品牌： 英飞凌 封装： TO-262 P-CH 55V 19A | 类似代替 | INFINEON IRF9Z34NLPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -19 A, -55 V, 0.1 ohm, -10 V, -4 V 新 | IRF9Z34NL和IRF9Z34NLPBF的区别 |