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IRF7467
Infineon(英飞凌) 分立器件

SOIC N-CH 30V 11A

N-Channel 30V 11A Ta 2.5W Ta Surface Mount 8-SO


得捷:
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC


IRF7467中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 11.0 A

极性 N-CH

耗散功率 2.5W Ta

产品系列 IRF7467

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 11.0 A

上升时间 2.5 ns

输入电容Ciss 2530pF @15VVds

额定功率Max 2.5 W

下降时间 4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

IRF7467引脚图与封装图
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