IRFR18N15D

Infineon(英飞凌) 分立器件

DPAK N-CH 150V 18A

表面贴装型 N 通道 150 V 18A（Tc） 110W（Tc） D-Pak

得捷:
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 18A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Win Source:
SMPS MOSFET

IRFR18N15D中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 18.0 A

极性 N-Channel

耗散功率 110W Tc

产品系列 IRFR18N15D

漏源极电压Vds 150 V

漏源击穿电压 150 V

连续漏极电流Ids 18.0 A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 900pF @25VVds

下降时间 9.8 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

IRFR18N15D引脚图与封装图

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替代型号IRFR18N15D

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
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