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IRF7459
Infineon(英飞凌) 分立器件

SOIC N-CH 20V 12A

N-Channel 20V 12A Ta 2.5W Ta Surface Mount 8-SO


得捷:
MOSFET N-CH 20V 12A 8SO


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 12A 8-Pin SOIC


Win Source:
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC


IRF7459中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 20.0 V

额定电流 12.0 A

极性 N-Channel

耗散功率 2.5W Ta

产品系列 IRF7459

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20.0 V

连续漏极电流Ids 12.0 A

上升时间 4.5 ns

输入电容Ciss 2480pF @10VVds

下降时间 5 ns

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

IRF7459引脚图与封装图
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