极性 P-CH
耗散功率 3.8W Ta, 110W Tc
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 31A
输入电容Ciss 1200pF @25VVds
耗散功率Max 3.8W Ta, 110W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRF5305STRR | Infineon 英飞凌 | D2PAK P-CH 55V 31A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRF5305STRR 品牌: Infineon 英飞凌 封装: D2PAK P-CH 55V 31A | 当前型号 | D2PAK P-CH 55V 31A | 当前型号 | |
型号: IRF5305SPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL P-Channel 55V 31A | 类似代替 | P 通道功率 MOSFET 超过 8A,InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。 | IRF5305STRR和IRF5305SPBF的区别 | |
型号: IRF5305STRRPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL P-Channel 55V 31A | 类似代替 | D2PAK P-CH 55V 31A | IRF5305STRR和IRF5305STRRPBF的区别 |