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IRFIB5N65A中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 650 V

额定电流 5.10 A

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 5.10 A

上升时间 20.0 ns

封装参数

安装方式 Through Hole

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

IRFIB5N65A引脚图与封装图
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IRFIB5N65A Vishay Semiconductor 威世 Trans MOSFET N-CH 650V 5.1A 3Pin3+Tab TO-220FP 搜索库存