IRFIB5N65A中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 650 V
额定电流 5.10 A
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 5.10 A
上升时间 20.0 ns
封装参数
安装方式 Through Hole
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRFIB5N65A引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRFIB5N65A | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET N-CH 650V 5.1A 3Pin3+Tab TO-220FP | 搜索库存 |