额定电压DC 30.0 V
额定电流 55.0 A
极性 N-CH
耗散功率 107W Tc
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 55.0 A
上升时间 210 ns
输入电容Ciss 1600pF @25VVds
耗散功率Max 107W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准
含铅标准
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: IRLU3103 品牌: Infineon 英飞凌 封装: IPAK N-CH 30V 55A | 当前型号 | IPAK N-CH 30V 55A | 当前型号 | |
型号: IRLU3103PBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 30V 55A | 类似代替 | HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。 | IRLU3103和IRLU3103PBF的区别 | |
型号: U310 品牌: 英飞凌 封装: | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, | IRLU3103和U310的区别 |