IRF7421D1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRF7421D1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 5.80 A
极性 N-CH
耗散功率 2W Ta
产品系列 IRF7421D1
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 5.80 A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 510pF @25VVds
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
IRF7421D1引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRF7421D1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF7421D1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SOIC N-CH 30V 5.8A | 当前型号 | SOIC N-CH 30V 5.8A | 当前型号 |
| 型号： IRF7421D1TRPBF 品牌： 英飞凌 封装： 8-SOIC N-CH 30V 5.8A | 类似代替 | SOIC N-CH 30V 5.8A | IRF7421D1和IRF7421D1TRPBF的区别 |