IRFP048N
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRFP048N中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 55.0 V
额定电流 36.0 A
漏源极电阻 16.0 mΩ max
极性 N-CH
耗散功率 140W Tc
产品系列 IRFP048N
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55.0V min
连续漏极电流Ids 64.0 A
上升时间 78.0 ns
输入电容Ciss 1900pF @25VVds
耗散功率Max 140W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准
IRFP048N引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRFP048N
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRFP048N 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-247 N-CH 55V 64A 16mΩ | 当前型号 | TO-247AC N-CH 55V 64A | 当前型号 |
| 型号： IRFP048NPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-CH 55V 64A | 类似代替 | N 通道功率 MOSFET 60A 至 79A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。 | IRFP048N和IRFP048NPBF的区别 |
| 型号： IRFP048 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 64A ID, 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-247AC, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3 | IRFP048N和IRFP048的区别 |