锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IRFBE30中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 800 V

额定电流 4.10 A

漏源极电阻 3.00 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

漏源极电压Vds 800 V

漏源击穿电压 800 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 4.10 A

上升时间 33 ns

下降时间 30 ns

封装参数

安装方式 Through Hole

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

IRFBE30引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IRFBE30
型号 制造商 描述 购买
IRFBE30 Vishay Semiconductor 威世 功率MOSFET Power MOSFET 搜索库存