IRLR230ATM
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
IRLR230ATM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 7.50 A
极性 N-CH
耗散功率 2.5W Ta, 48W Tc
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 7.50 A
输入电容Ciss 755pF @25VVds
耗散功率Max 2.5W Ta, 48W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRLR230ATM引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IRLR230ATM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRLR230ATM | Fairchild 飞兆/仙童 | MOSFET N-CH 200V 7.5A DPAK | 搜索库存 |
替代型号IRLR230ATM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRLR230ATM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-CH 200V 7.5A | 当前型号 | MOSFET N-CH 200V 7.5A DPAK | 当前型号 |
| 型号： FQD4N20TM 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 200V 3A 1.4ohms | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 200V 3A 3Pin2+Tab DPAK T/R | IRLR230ATM和FQD4N20TM的区别 |
| 型号： FDD7N20TM 品牌： 安森美 封装： TO-252 | 功能相似 | UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 PFC、平板显示屏 FPD 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | IRLR230ATM和FDD7N20TM的区别 |
| 型号： PHD9NQ20T,118 品牌： 恩智浦 封装： SOT428 N-CH 200V 8.7A | 功能相似 | DPAK N-CH 200V 8.7A | IRLR230ATM和PHD9NQ20T,118的区别 |