IXFH150N17T
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXFH150N17T中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 830W Tc
漏源极电压Vds 175 V
连续漏极电流Ids 150A
输入电容Ciss 9800pF @25VVds
耗散功率Max 830W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFH150N17T引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXFH150N17T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFH150N17T | IXYS Semiconductor | TO-247 N-CH 175V 150A | 搜索库存 |
替代型号IXFH150N17T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFH150N17T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247 N-CH 175V 150A | 当前型号 | TO-247 N-CH 175V 150A | 当前型号 |
| 型号： IXTH150N17T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247 N-CH 175V 150A | 完全替代 | TO-247 N-CH 175V 150A | IXFH150N17T和IXTH150N17T的区别 |
| 型号： IXFH150N17T2 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 | 类似代替 | N沟道 175V 150A | IXFH150N17T和IXFH150N17T2的区别 |