IXFJ32N50Q
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXFJ32N50Q中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 150 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 360 W
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 32A
上升时间 42 ns
输入电容Ciss 3950pF @25VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 360W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 16.05 mm
宽度 14 mm
高度 5.1 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFJ32N50Q引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXFJ32N50Q
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFJ32N50Q | IXYS Semiconductor | TO-268 N-CH 500V 32A | 搜索库存 |
替代型号IXFJ32N50Q
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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