IXTA02N450HV

IXYS Semiconductor 分立器件

D2PAK N-CH 4500V 0.2A

N-Channel 4500V 200mA Tc 113W Tc Surface Mount TO-263 IXTA

得捷:
MOSFET N-CH 4500V 200MA TO263

IXTA02N450HV中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 113W Tc

漏源极电压Vds 4500 V

连续漏极电流Ids 0.2A

输入电容Ciss 256pF @25VVds

耗散功率Max 113W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXTA02N450HV引脚图与封装图

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