IPP042N03L G
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
分立器件
针脚数 3
漏源极电阻 3.5 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 79 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 5.6 ns
输入电容Ciss 2900pF @15VVds
额定功率Max 79 W
下降时间 4.4 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 79 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.36 mm
宽度 4.57 mm
高度 15.95 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 VRD/VRM, Onboard charger, Mainboard
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IPP042N03L G | Infineon 英飞凌 | INFINEON IPP042N03L G 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 3.5 mohm, 10 V, 1 V | 搜索库存 |