IXFH6N90

IXYS Semiconductor 分立器件

TO-247AD N-CH 900V 6A

N-Channel 900V 6A Tc 300W Tc Through Hole TO-247AD IXFH

得捷:
MOSFET N-CH 900V 6A TO247AD

贸泽:
MOSFET 900V 6A

Win Source:
MOSFET N-CH 900V 6A TO247AD / N-Channel 900 V 6A Tc 300W Tc Through Hole TO-247AD IXFH

IXFH6N90中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 900 V

额定电流 6.00 A

通道数 1

漏源极电阻 1.8 Ω

极性 N-CH

耗散功率 300W Tc

漏源极电压Vds 900 V

漏源击穿电压 900 V

连续漏极电流Ids 6.00 A

上升时间 40.0 ns

输入电容Ciss 2600pF @25VVds

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXFH6N90引脚图与封装图

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