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IPP072N10N3 G

IPP072N10N3 G

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Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IPP072N10N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 100 V, 0.0062 ohm, 10 V, 2.7 V

OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上


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### Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能


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IPP072N10N3 G中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.0062 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 150 W

阈值电压 2.7 V

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 37 ns

输入电容Ciss 3690pF @50VVds

下降时间 9 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 15.95 mm

高度 4.57 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Class D audio amplifiers, Uninterruptable power supplies UPS, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Synchronous rectification for AC-DC SMPS

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

香港进出口证 NLR

IPP072N10N3 G引脚图与封装图
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IPP072N10N3 G Infineon 英飞凌 INFINEON  IPP072N10N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 100 V, 0.0062 ohm, 10 V, 2.7 V 搜索库存