IRF840LCSTRRPBF中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 8.00 A
上升时间 25 ns
下降时间 19 ns
封装参数
安装方式 Surface Mount
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
IRF840LCSTRRPBF引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| IRF840LCSTRRPBF | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 搜索库存 |