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IRF830ASTRLPBF

IRF830ASTRLPBF

数据手册.pdf

功率MOSFET Power MOSFET

FEATURES

• Low Gate Charge QgResults in Simple Drive Requirement

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current

• Effective Cossspecified

• Lead Pb-free Available


得捷:
MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


富昌:
N 沟道 500 V 3.1 W 24 nC 功率 Mosfet 表面贴装 - D2PAK


IRF830ASTRLPBF中文资料参数规格
技术参数

上升时间 21 ns

下降时间 15 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRF830ASTRLPBF引脚图与封装图
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