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IRL640STRRPBF
IRL640STRRPBF中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.18 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.1 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 17.0 A

上升时间 83 ns

下降时间 52 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRL640STRRPBF引脚图与封装图
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IRL640STRRPBF Vishay Semiconductor 威世 VISHAY IRL640STRRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 17A, 200V, 180mohm, 5V, 2V 搜索库存