
IRL640STRRPBF中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.18 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.1 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 17.0 A
上升时间 83 ns
下降时间 52 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRL640STRRPBF引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRL640STRRPBF | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY IRL640STRRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 17A, 200V, 180mohm, 5V, 2V | 搜索库存 |