IRF630STRRPBF中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 9.00 A
上升时间 28 ns
下降时间 20 ns
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
IRF630STRRPBF引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| IRF630STRRPBF | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 搜索库存 |