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IRLR120TRRPBF

IRLR120TRRPBF

数据手册.pdf

功率MOSFET Power MOSFET

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

• Repetitive Avalanche Rated

• Surface Mount IRLR120/SiHLR120

• Straight Lead IRLU120/SiHLU120

• Available in Tape and Reel

• Logic-Level Gate Drive

•RDSonSpecified at VGS= 4 V and 5 V

• Lead Pb-free Available


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


IRLR120TRRPBF中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 7.70 A

上升时间 64 ns

下降时间 27 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

IRLR120TRRPBF引脚图与封装图
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