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IRL630SPBF中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.4 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 74 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 9.00 A

上升时间 57 ns

输入电容Ciss 1100pF @25VVds

下降时间 33 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 D2PAK-263

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 D2PAK-263

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRL630SPBF引脚图与封装图
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IRL630SPBF Vishay Semiconductor 威世 N 通道 MOSFET,200V 至 250V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor 搜索库存