IRF540STRLPBF中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.077 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.7 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 28.0 A
上升时间 44 ns
下降时间 43 ns
工作温度Max 175 ℃
封装参数
引脚数 3
封装 TO-263
外形尺寸
封装 TO-263
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRF540STRLPBF引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IRF540STRLPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF540STRLPBF | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY IRF540STRLPBF MOSFET Transistor, N Channel, 28A, 100V, 0.077Ω, 10V, 2V | 搜索库存 |