IRF9610SPBF中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 3 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 20 W
漏源极电压Vds -200 V
漏源击穿电压 -200 V
连续漏极电流Ids -1.80 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 170pF @25VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRF9610SPBF引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IRF9610SPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF9610SPBF | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY IRF9610SPBF 场效应管, MOSFET, P沟道, 20W, D2-PAK | 搜索库存 |