IRFBC20SPBF中文资料参数规格
技术参数
额定功率 50 W
针脚数 3
漏源极电阻 3 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 50 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 2.20 A
上升时间 23 ns
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263
外形尺寸
封装 TO-263
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRFBC20SPBF引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRFBC20SPBF | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY IRFBC20SPBF. 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.2 A, 800 V, 3 ohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |