IRF510STRRPBF中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 3700 mW
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 5.60 A
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 180pF @25VVds
下降时间 9.4 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3700 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
IRF510STRRPBF引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| IRF510STRRPBF | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 搜索库存 |