IRFS9N60APBF中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.75 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 170 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 9.20 A
输入电容Ciss 1400pF @25VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 170 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263
其他
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRFS9N60APBF引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRFS9N60APBF | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY IRFS9N60APBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 170W, D2-PAK | 搜索库存 |