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IRFP460LCPBF

IRFP460LCPBF

数据手册.pdf

VISHAY  IRFP460LCPBF..  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 270 mohm, 10 V, 4 V

The is a 500V N-channel Power MOSFET, third generation power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques.

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Dynamic dV/dt rating
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Repetitive avalanche rated
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Enhanced 30V VGS rating
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Isolated central mounting hole
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Reduced Ciss, Coss and Crss
IRFP460LCPBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 20.0 A

额定功率 280 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.27 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 280 W

阈值电压 4 V

输入电容 3600pF @25V

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 20.0 A

上升时间 77 ns

输入电容Ciss 3600pF @25VVds

下降时间 43 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 280 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247

外形尺寸

长度 15.87 mm

宽度 5.31 mm

高度 20.7 mm

封装 TO-247

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRFP460LCPBF引脚图与封装图
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