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IRF840ALPBF

IRF840ALPBF

数据手册.pdf

VISHAY  IRF840ALPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 500 V, 850 mohm, 10 V

The is a HEXFET® N-channel Power MOSFET offers low gate charge Qg results in simple drive requirement. It is suitable for high speed power switching.

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Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
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Fully characterized capacitance, avalanche voltage and current

贸泽:
MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin3+Tab TO-262


安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin3+Tab TO-262


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin3+Tab TO-262


Newark:
# VISHAY  IRF840ALPBF  MOSFET Transistor, N Channel, 8 A, 500 V, 850 mohm, 10 V


IRF840ALPBF中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.85 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.1 W

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 8.00 A

上升时间 23 ns

下降时间 19 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.83 mm

高度 9.65 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tube

制造应用 Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

IRF840ALPBF引脚图与封装图
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