针脚数 3
漏源极电阻 2.2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 74 W
阈值电压 4.5 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 3.60 A
输入电容Ciss 510pF @25VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 74 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.41 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.01 mm
封装 TO-220-3
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRFBC30APBF | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY IRFBC30APBF 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 600 V, 2.2 ohm, 10 V, 4.5 V | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRFBC30APBF 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： TO-220AB N-Channel 600V 3.6A | 当前型号 | VISHAY IRFBC30APBF 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 600 V, 2.2 ohm, 10 V, 4.5 V | 当前型号 |
| 型号： STP4NK60Z 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 600V 4A 2Ω | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP4NK60Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 3.75 V | IRFBC30APBF和STP4NK60Z的区别 |
| 型号： IRFBC40APBF 品牌： 威世 封装： TO-220AB N-Channel 600V 6.2A | 功能相似 | VISHAY IRFBC40APBF 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 600 V, 1.2 ohm, 10 V, 4 V | IRFBC30APBF和IRFBC40APBF的区别 |
