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IRFZ10PBF中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.2 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 43 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 10.0 A

上升时间 50 ns

下降时间 19 ns

工作温度Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRFZ10PBF引脚图与封装图
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IRFZ10PBF Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  IRFZ10PBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 10A 搜索库存