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IPW65R110CFD

IPW65R110CFD

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IPW65R110CFD  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31.2 A, 700 V, 0.099 ohm, 10 V, 4 V

CoolMOS™ CFD 功率 MOSFET


立创商城:
N沟道 650V 31.2A


得捷:
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247


欧时:
Infineon CoolMOS™ CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 700V 31.2A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 700V 31.2A 3-Pin3+Tab TO-247


Verical:
Trans MOSFET N-CH 700V 31.2A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


儒卓力:
**CoolMOS 650V 31A 110mOhm TO247 **


力源芯城:
650V,31.2A,N沟道功率MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247


IPW65R110CFD中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.099 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 277.8 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 700 V

连续漏极电流Ids 31.2A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 3240pF @100VVds

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 277.8W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.1 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

IPW65R110CFD引脚图与封装图
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