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IRFR224PBF中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 1.1 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 42 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 250 V

连续漏极电流Ids 3.80 A

输入电容Ciss 260pF @25VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRFR224PBF引脚图与封装图
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IRFR224PBF Vishay Semiconductor 威世 N 通道 MOSFET,200V 至 250V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor 搜索库存