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IRF530STRLPBF

IRF530STRLPBF

数据手册.pdf

功率MOSFET Power MOSFET

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

FEATURES

•Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition

• Surface Mount

• Available in Tape and Reel

• Dynamic dV/dt Rating

• Repetitive Avalanche Rated

• 175 °C Operating Temperature

• Fast Switching

• Ease of Paralleling

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

IRF530STRLPBF中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.16 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.7 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 14.0 A

工作温度Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-263

外形尺寸

封装 TO-263

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

IRF530STRLPBF引脚图与封装图
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