IXFK48N60P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFK48N60P中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 48.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.135 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 830 W
阈值电压 5 V
输入电容 8.86 nF
栅电荷 150 nC
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 48.0 A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 8860pF @25VVds
额定功率Max 830 W
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 830W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
外形尺寸
长度 19.96 mm
宽度 5.13 mm
高度 26.16 mm
封装 TO-264-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
制造应用 电源管理, Power Management, 工业, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
IXFK48N60P引脚图与封装图
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在线购买IXFK48N60P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFK48N60P | IXYS Semiconductor | IXYS SEMICONDUCTOR IXFK48N60P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 48 A, 600 V, 135 mohm, 10 V, 5 V | 搜索库存 |
替代型号IXFK48N60P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFK48N60P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-264 N-Channel 600V 48A 135mΩ 8.86nF | 当前型号 | IXYS SEMICONDUCTOR IXFK48N60P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 48 A, 600 V, 135 mohm, 10 V, 5 V | 当前型号 |
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| 型号： IXFX48N60P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-Channel 600V 48A 135mΩ 8.86nF | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3Pin3+Tab PLUS 247 | IXFK48N60P和IXFX48N60P的区别 |
| 型号： IXFH50N60P3 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247 N-Channel 600V 50A | 功能相似 | IXYS SEMICONDUCTOR IXFH50N60P3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 50 A, 600 V, 0.16 ohm, 10 V, 5 V | IXFK48N60P和IXFH50N60P3的区别 |