IRFP048PBF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 70.0 A
漏源极电阻 0.018 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 190 W
阈值电压 4 V
输入电容 2400pF @25V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
连续漏极电流Ids 70.0 A
上升时间 250 ns
输入电容Ciss 2400pF @25VVds
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 190 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247
外形尺寸
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
高度 20.7 mm
封装 TO-247
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRFP048PBF引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| IRFP048PBF | Vishay Semiconductor 威世 | N 通道 MOSFET，60V 至 90V，Vishay Semiconductor | 搜索库存 |