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IRFD420PBF

IRFD420PBF

数据手册.pdf

功率MOSFET Power MOSFET

* Dynamic dV/dt Rating * Repetitive Avalanche Rated * For Automatic Insertion * End Stackable * Fast Switching * Ease of Paralleling * Simple Drive Requirements * Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC * VDS: 500 V


贸泽:
MOSFET N-Chan 400V 0.37 Amp


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 0.37A 4-Pin HVMDIP


安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 0.37A 4-Pin HVMDIP


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 370mA; 1.3W; DIP4


Newark:
# VISHAY  IRFD420PBF  MOSFET, N-CH, 500V, 0.37A, HVMDIP New


IRFD420PBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 460 mA

额定功率 1.3 W

漏源极电阻 3 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1 W

阈值电压 4 V

输入电容 360pF @25V

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 370 mA

上升时间 8.6 ns

下降时间 16 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 4

封装 DIP

外形尺寸

长度 6.29 mm

高度 3.37 mm

封装 DIP

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

IRFD420PBF引脚图与封装图
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